FDV301N MOSFET N-Ch Санлы
♠ Продукт тасвирламасы
| Продукт атрибуты | Сыйфат кыйммәте |
| Manufactитештерүче: | онсеми |
| Продукция категориясе: | MOSFET |
| RoHS: | Детальләр |
| Технология: | Si |
| Монтаж стиле: | SMD / SMT |
| Пакет / очрак: | SOT-23-3 |
| Транзистор полярлыгы: | N-Channel |
| Каналлар саны: | 1 канал |
| Vds - Дренаж чыганагы өзелү көчәнеше: | 25 V. |
| Id - өзлексез дренаж агымы: | 220 мА |
| Rds On - Дренаж чыганагына каршы тору: | 5 Омс |
| Vgs - капка чыганагы көчәнеше: | - 8 V, + 8 V. |
| Vgs th - Капка-Чыганак бусагасы көчәнеше: | 700 мВ |
| Qg - капка заряды: | 700 шт |
| Минималь эш температурасы: | - 55 С. |
| Максималь эш температурасы: | + 150 С. |
| Pd - Көч тарату: | 350 мВт |
| Канал режимы: | Күчерү |
| Пакетлау: | Риль |
| Пакетлау: | Магнитофонны кисегез |
| Пакетлау: | MouseReel |
| Бренд: | Онсеми / Фэрилч |
| Конфигурация: | Ялгыз |
| Көз вакыты: | 6 нс |
| Алга җибәрү үткәрү - Мин: | 0,2 С. |
| Биеклек: | 1,2 мм |
| Озынлык: | 2,9 мм |
| Продукция: | MOSFET Кечкенә сигнал |
| Продукция төре: | MOSFET |
| Вакыт күтәрелү: | 6 нс |
| Серияләр: | FDV301N |
| Завод пакеты саны: | 3000 |
| Төркем: | MOSFETs |
| Транзистор төре: | 1 N-канал |
| Төре: | FET |
| Типик сүндерү вакыты: | 3.5 нс |
| Типик кабызу вакыты: | 3.2 нс |
| Киңлеге: | 1,3 мм |
| Partлеш өлеше: | FDV301N_NL |
| Берәмлек авырлыгы: | 0.000282 оз |
♠ Санлы FET, N-канал FDV301N, FDV301N-F169
Бу N - Канал логик дәрәҗәсен арттыру режимы кыр эффект транзисторы онсеминың милек, югары күзәнәк тыгызлыгы, DMOS технологиясе ярдәмендә җитештерелә.Бу бик югары тыгызлык процессы аеруча - дәүләт каршылыгын киметү өчен эшләнгән.Бу җайланма аеруча аз көчәнешле кушымталар өчен санлы транзисторларны алыштыру өчен эшләнгән.Ике яклы резисторлар таләп ителмәгәнлектән, бу N - канал FET берничә төрле санлы транзисторларны, төрле резистор кыйммәтләре белән алыштыра ала.
• 25 V, 0.22 Даими, 0,5 Пик
♦ RDS (янда) = 5 @ VGS = 2.7 V.
♦ RDS (янда) = 4 @ VGS = 4.5 V.
• 3 V схемада туры эшләргә рөхсәт итүче бик түбән дәрәҗәдәге капка саклагыч таләпләре.VGS (th) <1.06 V.
• Капка - ESD тупаслыгы өчен чыганак Зенер.> 6 кВ кеше тәне моделе
• Берничә NPN санлы транзисторны бер DMOS FET белән алыштырыгыз
• Бу җайланма Pb - бушлай һәм Халид бушлай
