SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Кыска тасвирлау:

Итештерүчеләр: Вишай
Продукция категориясе: MOSFET
Спецификация:SI7119DN-T1-GE3
Тасвирлау: MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
RoHS статусы: RoHS туры килә


Продукциянең детальләре

Үзенчәлекләр

Кушымталар

Продукция тэглары

♠ Продукт тасвирламасы

Продукт атрибуты Сыйфат кыйммәте
Manufactитештерүче: Вишай
Продукция категориясе: MOSFET
RoHS: Детальләр
Технология: Si
Монтаж стиле: SMD / SMT
Пакет / очрак: PowerPAK-1212-8
Транзистор полярлыгы: П-канал
Каналлар саны: 1 канал
Vds - Дренаж чыганагы өзелү көчәнеше: 200 V.
Id - өзлексез дренаж агымы: 3.8 А.
Rds On - Дренаж чыганагына каршы тору: 1.05 Омс
Vgs - капка чыганагы көчәнеше: - 20 V, + 20 V.
Vgs th - Капка-Чыганак бусагасы көчәнеше: 2 V.
Qg - капка заряды: 25 nC
Минималь эш температурасы: - 50 С.
Максималь эш температурасы: + 150 С.
Pd - Көч тарату: 52 Вт
Канал режимы: Күчерү
Сәүдә исеме: TrenchFET
Пакетлау: Риль
Пакетлау: Магнитофонны кисегез
Пакетлау: MouseReel
Бренд: Вишай ярымүткәргечләр
Конфигурация: Ялгыз
Көз вакыты: 12 нс
Алга җибәрү үткәрү - Мин: 4 S.
Биеклек: 1,04 мм
Озынлык: 3,3 мм
Продукция төре: MOSFET
Вакыт күтәрелү: 11 нс
Серияләр: SI7
Завод пакеты саны: 3000
Төркем: MOSFETs
Транзистор төре: 1 П-канал
Типик сүндерү вакыты: 27 нс
Типик кабызу вакыты: 9 нс
Киңлеге: 3,3 мм
Partлеш өлеше: SI7119DN-GE3
Берәмлек авырлыгы: 1 г.

  • Алдагы:
  • Алга:

  • • IEC 61249-2-21 буенча галогенсыз

    • TrenchFET® Power MOSFET

    • Кечкенә җылылык каршылыгы PowerPAK® Кечкенә размерлы һәм түбән 1,07 мм профильле пакет

    • 100% UIS һәм Rg сыналган

    • Арадашлы DC / DC Электр белән тәэмин итүдә актив кысу

    Бәйләнешле продуктлар