SQJ951EP-T1_GE3 MOSFET Dual P-Channel 30V AEC-Q101 квалификацияле

Кыска тасвирлау:

Итештерүчеләр: Вишай / Силиконикс
Продукция категориясе: Транзисторлар - FET, MOSFETs - массивлар
Спецификация:SQJ951EP-T1_GE3
Тасвирлау: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
RoHS статусы: RoHS туры килә


Продукциянең детальләре

Үзенчәлекләр

Продукция тэглары

♠ Продукт тасвирламасы

Продукт атрибуты Сыйфат кыйммәте
Manufactитештерүче: Вишай
Продукция категориясе: MOSFET
Технология: Si
Монтаж стиле: SMD / SMT
Пакет / очрак: PowerPAK-SO-8-4
Транзистор полярлыгы: П-канал
Каналлар саны: 2 канал
Vds - Дренаж чыганагы өзелү көчәнеше: 30 V.
Id - өзлексез дренаж агымы: 30 А.
Rds On - Дренаж чыганагына каршы тору: 14 мм
Vgs - капка чыганагы көчәнеше: - 20 V, + 20 V.
Vgs th - Капка-Чыганак бусагасы көчәнеше: 2.5 V.
Qg - капка заряды: 50 nC
Минималь эш температурасы: - 55 С.
Максималь эш температурасы: + 175 С.
Pd - Көч тарату: 56 Вт
Канал режимы: Күчерү
Квалификация: AEC-Q101
Сәүдә исеме: TrenchFET
Пакетлау: Риль
Пакетлау: Магнитофонны кисегез
Пакетлау: MouseReel
Бренд: Вишай ярымүткәргечләр
Конфигурация: Ике
Көз вакыты: 28 нс
Продукция төре: MOSFET
Вакыт күтәрелү: 12 нс
Серияләр: SQ
Завод пакеты саны: 3000
Төркем: MOSFETs
Транзистор төре: 2 П-канал
Типик сүндерү вакыты: 39 нс
Типик кабызу вакыты: 12 нс
Partлеш өлеше: SQJ951EP-T1_BE3
Берәмлек авырлыгы: 0.017870 оз

  • Алдагы:
  • Алга:

  • • IEC 61249-2-21 буенча галогенсыз
    • TrenchFET® Power MOSFET
    • AEC-Q101 квалификацияле
    • 100% Rg һәм UIS сынады
    • RoHS 2002/95 / EC Директивасына туры килә

    Бәйләнешле продуктлар