W9864G6KH-6 DRAM 64Mb, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm
♠ Продукт тасвирламасы
| Продукт атрибуты | Сыйфат кыйммәте |
| Manufactитештерүче: | Винбонд |
| Продукция категориясе: | ДРАМ |
| RoHS: | Детальләр |
| Төре: | SDRAM |
| Монтаж стиле: | SMD / SMT |
| Пакет / очрак: | TSOP-54 |
| Мәгълүмат автобусы киңлеге: | 16 бит |
| Оештыру: | 4 М х 16 |
| Хәтер күләме: | 64 Мбит |
| Максималь сәгать ешлыгы: | 166 МГц |
| Рөхсәт вакыты: | 6 нс |
| Тапшыру көчәнеше - Макс: | 3.6 V. |
| Тапшыру көчәнеше - мин: | 3 V. |
| Ток белән тәэмин итү - Макс: | 50 мА |
| Минималь эш температурасы: | 0 С. |
| Максималь эш температурасы: | + 70 С. |
| Серияләр: | W9864G6KH |
| Бренд: | Винбонд |
| Дым сизгер: | Әйе |
| Продукция төре: | ДРАМ |
| Завод пакеты саны: | 540 |
| Төркем: | Хәтер һәм мәгълүмат саклау |
| Берәмлек авырлыгы: | 9.175 г. |
♠ 1М ✖ 4 БАНК ✖ 16 БИТС СДРАМ
W9864G6KH - югары тизлекле синхрон динамик очраклы керү хәтере (SDRAM), 1М сүзләре 4 банк 16 бит. W9864G6KH секундына 200М га кадәр мәгълүмат киңлеге бирә. Төрле кушымта өчен W9864G6KH түбәндәге тизлек дәрәҗәләренә бүленә: -5, -6, -6I һәм -7. -5 класс өлешләре 200МГц / CL3 кадәр эшләргә мөмкин. -6 һәм -6I класс өлешләре 166МГц / CL3 кадәр эшләргә мөмкин (-6I индустриаль класс, -40 ° C ~ 85 ° C). -7 класс өлешләре 143МГц / CL3 кадәр һәм tRP = 18nS белән эшләргә мөмкин.
SDRAM-га керү мөмкинлеге шартлы. Бер биттә эзлекле хәтер урнашкан урынга 1, 2, 4, 8 яки тулы биттә кереп була, банк һәм рәт ACTIVE боерыгы белән сайланган вакытта. Колонналар адреслары шартлау эшендә SDRAM эчке счетчик белән автоматик рәвештә ясала. Очраклы багана уку шулай ук һәр сәгать циклында адресын күрсәтеп мөмкин.
Берничә банк табигате эчке банклар арасында үзара бәйләнешне тулыландыру вакытын яшерергә мөмкинлек бирә. Программалаштырыла торган режим реестры ярдәмендә система шартлау озынлыгын, яшеренлек циклын, үзара бәйләнешне яки эзлекле шартлауны үзгәртә ала. W9864G6KH югары җитештерүчән кушымталарда төп хәтер өчен идеаль.
• -5, -6 һәм -6I тизлек класслары өчен 3,3В ± 0.3В
• 7 тизлек өчен электр энергиясе белән тәэмин итү өчен 2.7В ~ 3.6В
• 200 МГц сәгать ешлыгы
• 1,048,576 сүз
• 4 банк
• 16 бит оешмасы
• Currentз-үзеңне яңарту агымы: стандарт һәм түбән көч
• CAS озынлыгы: 2 һәм 3
• Озынлык озынлыгы: 1, 2, 4, 8 һәм тулы бит
• Эзлекле һәм үзара бәйләнеш
• LDQM, UDQM белән идарә ителгән байт мәгълүматлары
• Авто-зарядка һәм контроль алдан җибәрү
• Беренче уку, бер язу режимы
• 4К яңарту цикллары / 64 мС
• Интерфейс: LVTTL
• TSOP II 54-пинда, 400 миль RoHS туры килүче кургашсыз бушлай материаллар кулланып пакетланган
