FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ Продукт тасвирламасы
| Atributo del producto | Валор де атрибуто |
| Фабрикант: | онсеми |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Детальс |
| Текнология: | Si |
| Эстило де монтаже: | SMD / SMT |
| Пакет / Кубиерта: | SSOT-3 |
| Поляридад дель транзисторы: | N-Channel |
| Número de canales: | 1 канал |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 V. |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2.2 А. |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 65 мм |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 8 V, + 8 V. |
| Vgs th - Tensión зонтик пуэрта һәм фуенте: | 400 мВ |
| Qg - Carga de puerta: | 9 nC |
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 С. |
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 С. |
| Dp - Disipación de potencia: | 500 мВт |
| Модо каналы: | Күчерү |
| Empaquetado: | Риль |
| Empaquetado: | Магнитофонны кисегез |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Марка: | Онсеми / Фэрилч |
| Конфигурация: | Ялгыз |
| Tiempo de caída: | 10 нс |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 13 С. |
| Алтура: | 1,12 мм |
| Озынлык: | 2,9 мм |
| Продукция: | MOSFET Кечкенә сигнал |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 10 нс |
| Серия: | FDN337N |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Төркемчәләр: | MOSFETs |
| Tipo de транзистор: | 1 N-канал |
| Типо: | FET |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 17 нс |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 4 нс |
| Анчо: | 1,4 мм |
| Alias de las piezas n.º: | FDN337N_NL |
| Peso de la unidad: | 0,001270 оз |
♠ Транзистор - N-канал, логик дәрәҗә, көчәйтү режимының кыр эффекты
СУПЕРСОТ - 3 N - Канал логик дәрәҗәсен күтәрү режимы көч кыры эффект транзисторлары онсеминың милек, югары күзәнәк тыгызлыгы, DMOS технологиясе ярдәмендә җитештерелә.Бу бик югары тыгызлык процессы аеруча - дәүләт каршылыгын киметү өчен эшләнгән.Бу җайланмалар аеруча блокнот компьютерларында, көчле телефоннарда, PCMCIA карталарында һәм башка батарея белән эшләнгән схемаларда аз көчәнешле кушымталар өчен бик яраклы, бик кечкенә схема өслегендә урнаштыру пакетында тиз күчү, һәм түбән энергия югалту кирәк.
• 2.2 А, 30 V.
♦ RDS (өстендә) = 0.065 @ VGS = 4.5 V.
♦ RDS (өстендә) = 0.082 @ VGS = 2,5 V.
• СОПЕРСОТ кулланып, сәнәгать стандарт схемасы SOT - 23 faceир өстендәге җылылык һәм электр мөмкинлекләре өчен дизайн.
• Бик түбән RDS өчен югары тыгызлыктагы күзәнәк дизайны (кабызу)
• - Каршылык һәм максималь DC агымдагы мөмкинлектән тыш
• Бу җайланма Pb - бушлай һәм галоген бушлай
