FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ Продукт тасвирламасы
| Atributo del producto | Валор де атрибуто |
| Фабрикант: | онсеми |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Детальс |
| Текнология: | Si |
| Эстило де монтаже: | SMD / SMT |
| Пакет / Кубиерта: | SSOT-3 |
| Поляридад дель транзисторы: | П-канал |
| Número de canales: | 1 канал |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 V. |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2 А. |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 63 мм |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V. |
| Vgs th - Tensión зонтик пуэрта һәм фуенте: | 3 V. |
| Qg - Carga de puerta: | 9 nC |
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 С. |
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 С. |
| Dp - Disipación de potencia: | 500 мВт |
| Модо каналы: | Күчерү |
| Nombre коммерция: | PowerTrench |
| Empaquetado: | Риль |
| Empaquetado: | Магнитофонны кисегез |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Марка: | Онсеми / Фэрилч |
| Конфигурация: | Ялгыз |
| Tiempo de caída: | 13 нс |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 5 С. |
| Алтура: | 1,12 мм |
| Озынлык: | 2,9 мм |
| Продукция: | MOSFET Кечкенә сигнал |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 13 нс |
| Серия: | FDN360P |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Төркемчәләр: | MOSFETs |
| Tipo de транзистор: | 1 П-канал |
| Типо: | MOSFET |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 11 нс |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 6 нс |
| Анчо: | 1,4 мм |
| Alias de las piezas n.º: | FDN360P_NL |
| Peso de la unidad: | 0,001058 оз |
Le Бердәм P-канал, PowerTrenchÒ MOSFET
Бу P-Channel логик дәрәҗәсе MOSFET ON ярымүткәргечнең алдынгы Power Trench процессы ярдәмендә җитештерелә, бу аеруча дәүләт каршылыгын киметү өчен эшләнгән, ләкин өстен күчү өчен түбән капка корылмасын саклый.
Бу җайланмалар түбән көчәнеш һәм батарея белән эшләнгән кушымталар өчен бик яраклы, түбән электр энергиясен югалту һәм тиз күчү кирәк.
· –2 A, –30 V. RDS (ON) = 80 мВт @ VGS = –10 V RDS (ОН) = 125 мВт @ VGS = –4.5 V
· Түбән капка корылмасы (6.2 nC типик) · Бик түбән RDS (ON) өчен югары җитештерүчән траншея технологиясе.
Стандарт SOT-23 пакетының сәнәгатьнең югары көчле версиясе.30% югарырак көч эшкәртү мөмкинлеге булган SOT-23 белән бер үк пин.
· Бу җайланмалар Pb-Free һәм RoHS туры килә
