2023 елда IEEE Халыкара Каты Дәүләт Дәүләт Схемалары Конференциясендә (ISSCC) гафний нигезендәге ферроэлектрик хәтер чипының яңа төре эшләнгән һәм эшләнгән, микроэлектроника институты академикы Лю Мин тарафыннан эшләнгән һәм тәкъдим ителгән, иң югары дәрәҗәдәге интеграль схема дизайны.
Performanceгары җитештерүчәнлекле урнаштырылган үзгәрүчән булмаган хәтер (eNVM) кулланучылар электроникасында, автоном автомобильләрдә, сәнәгать контроле һәм әйберләр интернеты өчен SOC чипларына ихтыяҗ зур. Ферроэлектрик хәтер (FeRAM) югары ышанычлылык, ультра түбән энергия куллану һәм югары тизлек өстенлекләренә ия. Бу реаль вакытта күп санлы мәгълүмат язуда, еш уку һәм язу, аз энергия куллану һәм урнаштырылган SoC / SiP продуктларында киң кулланыла. PZT материалына нигезләнгән ферроэлектрик хәтер массакүләм җитештерүгә иреште, ләкин аның материалы CMOS технологиясе белән туры килми һәм кыскарту авыр, традицион ферроэлектрик хәтернең үсеш процессына китерә, җитди урнаштырылган, интеграция аерым җитештерү линиясе ярдәменә мохтаҗ, зур масштабта популярлаштыру авыр. Яңа гафний нигезендәге ферроэлектрик хәтернең миниатюрлыгы һәм аның CMOS технологиясе белән туры килүе аны академиядә һәм сәнәгатьтә уртак борчылу ноктасына әйләндерә. Хафний нигезендәге ферроэлектрик хәтер киләсе буынның яңа хәтеренең мөһим үсеш юнәлеше булып кабул ителде. Хәзерге вакытта, hafnium нигезендәге ферроэлектрик хәтерне тикшерү әле дә берәмлекнең ышанычлылыгы җитмәү, тулы периферик схема белән чип дизайны булмау, һәм eNVM'да куллануны чикләгән чип дәрәҗәсенең эшләвен тикшерү кебек проблемалар бар.
Гафниум нигезендәге ферроэлектрик хәтер урнаштырылган проблемаларны күздә тотып, Микроэлектроника институтыннан академик Лю Мин командасы мегаб зурлыктагы FeRAM сынау чипын дөньяда беренче тапкыр CMOS белән туры килгән hafnium нигезендәге ферроэлектрик хәтернең зур масштаблы интеграция платформасына нигезләнеп эшләде һәм уңышлы тәмамлады. Температураны сизү өчен ECC ярдәмендә язу диск схемасы һәм автоматик офсетны бетерү өчен сизгер көчәйткеч схемасы тәкъдим ителә, һәм 1012 циклның ныклыгы һәм 7нс язу һәм 5нс уку вакыты ирешелә, бу әлегә кадәр иң яхшы дәрәҗә.
"912 Мб HZO нигезендә урнаштырылган FeRAM 1012-цикл чыдамлыгы һәм 5 / 7ns ECC ярдәмендә мәгълүматны яңарту ярдәмендә укыгыз / языгыз" кәгазе нәтиҗәләргә нигезләнеп һәм Офсет-юкка чыгарылган Sense көчәйткеч "ISSCC 2023 сайланган, һәм чип ISSCC Демо Сессиясендә күрсәтелгән. тиешле автор.
Бәйләнешле эш Кытай Милли Табигать белеме Фонды, Фән һәм технология министрлыгының Милли төп тикшеренүләр һәм үсеш программасы, һәм Кытай Фәннәр академиясенең B-класс очучы проекты ярдәмендә.
(9Мб Хафниум нигезендәге FeRAM чип һәм чип җитештерү тесты фотосы)
Пост вакыты: 15-2023 апрель
