2023 елда IEEE Халыкара Каты Дәүләт Дәүләт Схемалары Конференциясендә (ISSCC) гафний нигезендәге ферроэлектрик хәтер чипының яңа төре эшләнгән һәм эшләнгән, микроэлектроника институты академиясе Лю Мин тәкъдим иткән, тәкъдим ителгән, интеграль схема дизайнының иң югары дәрәҗәсе.
Performanceгары җитештерүчәнлекле урнаштырылган үзгәрүчән булмаган хәтер (eNVM) кулланучылар электроникасында, автоном автомобильләрдә, сәнәгать контроле һәм әйберләр интернеты өчен чит җайланмаларда SOC чипларына ихтыяҗ зур.Ферроэлектрик хәтер (FeRAM) югары ышанычлылык, ультра түбән энергия куллану һәм югары тизлек өстенлекләренә ия.Бу реаль вакытта күп санлы мәгълүмат язуда, еш уку һәм язу, аз энергия куллану һәм урнаштырылган SoC / SiP продуктларында киң кулланыла.PZT материалына нигезләнгән ферроэлектрик хәтер массакүләм җитештерүгә иреште, ләкин аның материалы CMOS технологиясе белән туры килми һәм кыскарту авыр, традицион ферроэлектрик хәтернең үсеш процессына китерә, җитди урнаштырылган, урнаштырылган интеграция аерым җитештерү линиясе ярдәменә мохтаҗ, популярлаштыру авыр. зур масштабта.Яңа гафний нигезендәге ферроэлектрик хәтернең миниатюрлыгы һәм аның CMOS технологиясе белән туры килүе аны академиядә һәм сәнәгатьтә уртак борчылу ноктасына әйләндерә.Хафний нигезендәге ферроэлектрик хәтер киләсе буынның яңа хәтеренең мөһим үсеш юнәлеше булып кабул ителде.Хәзерге вакытта, hafnium нигезендәге ферроэлектрик хәтерне тикшерү әле дә берәмлекнең ышанычлылыгы җитмәү, тулы периферик схема белән чип дизайны булмау, һәм eNVM'да куллануны чикләгән чип дәрәҗәсенең эшләвен тикшерү кебек проблемалар бар.
Гафниум нигезендәге ферроэлектрик хәтер урнаштырылган проблемаларны күздә тотып, Микроэлектроника институтыннан академик Лю Мин командасы мегаб зурлыктагы FeRAM сынау чипын дөньяда беренче тапкыр зур масштаблы интеграция платформасы нигезендә эшләде һәм тормышка ашырды. CMOS белән туры килә торган гафний нигезендәге ферроэлектрик хәтер, һәм 130nm CMOS процессында HZO ферроэлектрик конденсаторының зур масштаблы интеграциясен уңышлы тәмамлады.Температураны сизү өчен ECC ярдәмендә язу диск схемасы һәм автоматик офсетны бетерү өчен сизгер көчәйткеч схемасы тәкъдим ителә, һәм 1012 циклның ныклыгы һәм 7нс язу һәм 5нс уку вакыты ирешелә, бу әлегә кадәр иң яхшы дәрәҗә.
"9-Мб HZO нигезендә урнаштырылган FeRAM 1012-цикл чыдамлыгы һәм 5 / 7нс ECC ярдәмендә мәгълүматны яңарту ярдәмендә уку / язу" кәгазе нәтиҗәләргә нигезләнгән һәм Офсет-Canceled Sense көчәйткеч "ISSCC 2023-дә сайланган, һәм чип конференциядә күрсәтер өчен ISSCC Demo сессиясендә сайланды.Ян Jiзянгу - кәгазьнең беренче авторы, һәм Лю Мин - тиешле автор.
Бәйләнешле эш Кытай Милли Табигать белеме Фонды, Фән һәм технология министрлыгының Милли төп тикшеренүләр һәм үсеш программасы, һәм Кытай Фәннәр академиясенең B-класс очучы проекты ярдәмендә.
(9Мб Хафниум нигезендәге FeRAM чип һәм чип җитештерү тесты фотосы)
Пост вакыты: 15-2023 апрель