FQU2N60CTU MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Сериясе
♠ Продукт тасвирламасы
| Продукт атрибуты | Сыйфат кыйммәте |
| Manufactитештерүче: | онсеми |
| Продукция категориясе: | MOSFET |
| Технология: | Si |
| Монтаж стиле: | Чокыр аша |
| Пакет / очрак: | TO-251-3 |
| Транзистор полярлыгы: | N-Channel |
| Каналлар саны: | 1 канал |
| Vds - Дренаж чыганагы өзелү көчәнеше: | 600 V. |
| Id - өзлексез дренаж агымы: | 1.9 А. |
| Rds On - Дренаж чыганагына каршы тору: | 4.7 Омс |
| Vgs - капка чыганагы көчәнеше: | - 30 V, + 30 V. |
| Vgs th - Капка-Чыганак бусагасы көчәнеше: | 2 V. |
| Qg - капка заряды: | 12 nC |
| Минималь эш температурасы: | - 55 С. |
| Максималь эш температурасы: | + 150 С. |
| Pd - Көч тарату: | 2,5 Вт |
| Канал режимы: | Күчерү |
| Пакетлау: | Труба |
| Бренд: | Онсеми / Фэрилч |
| Конфигурация: | Ялгыз |
| Көз вакыты: | 28 нс |
| Алга җибәрү үткәрү - Мин: | 5 С. |
| Биеклек: | 6,3 мм |
| Озынлык: | 6,8 мм |
| Продукция төре: | MOSFET |
| Вакыт күтәрелү: | 25 нс |
| Серияләр: | FQU2N60C |
| Завод пакеты саны: | 5040 |
| Төркем: | MOSFETs |
| Транзистор төре: | 1 N-канал |
| Төре: | MOSFET |
| Типик сүндерү вакыты: | 24 нс |
| Типик кабызу вакыты: | 9 нс |
| Киңлеге: | 2,5 мм |
| Берәмлек авырлыгы: | 0.011993 оз |
♠ MOSFET - N-Channel, QFET 600 V, 1.9 A, 4,7
Бу N - Каналны арттыру режимы көче MOSFET онсеминың планета полосасы һәм DMOS технологиясе ярдәмендә чыгарыла.Бу алдынгы MOSFET технологиясе аеруча - дәүләт каршылыгын киметү өчен, һәм күчүчәнлекнең югары күрсәткечләрен һәм көчле көч көчләрен тәэмин итү өчен эшләнгән.Бу җайланмалар күчерелгән режимда электр белән тәэмин итү, актив энергия факторын коррекцияләү (PFC), электрон лампа балластлары өчен яраклы.
• 1,9 A, 600 V, RDS (өстендә) = 4.7 (Макс.) @ VGS = 10 V, ID = 0.95 A
• Түбән капка заряды (тип 8.5 nC)
• Түбән Крс (Тип. 4.3 pF)
• 100% кар көчлеге сынады
• Бу җайланмалар бушлай бушлай һәм RoHS туры килә
